38、45nm CMOS 与卷积神经网络在高频与医疗诊断中的应用

45nm CMOS 与卷积神经网络在高频与医疗诊断中的应用

45nm CMOS 技术下的 MTSPC DFF 设计

在数字电路设计中，True Single Phase Clocked D 触发器（TSPC DFF）存在一些问题，当 clk 从 LOW 转变为 HIGH 时会出现连续翻转的情况。为了解决这个问题，我们在节点 B 连接到地的位置引入了一个 PMOS 晶体管。这样，当地通路导通时，就能消除翻转现象，同时不会影响 TSPC DFF 的正常运行。改进后的 DFF 模型如图 3 所示。

不同输入条件下，DFF 的输出情况如下：
- 当 clk 和输入 D 都为 LOW 时，输出 Qb 保持其先前的值。
- 当输入为 HIGH 时，节点也为 HIGH，输出保持不变。
- 当 clk 从 LOW 转变为 HIGH 且 D 为 HIGH 时，节点 B 为 HIGH，输出 Qb 为 LOW，因此 Q 为 HIGH。
- 当 clk 从 LOW 转变为 HIGH 且 D 为 LOW 时，节点 B 为 LOW，输出 Qb 为 HIGH，因此 Q 为 LOW。
- 当 PMOS（P4）的输入（复位）为 LOW 时，预设 PMOS 处于导通状态，输出 Qb 保持 HIGH 值，直到复位变为 HIGH。

为了评估不同技术下的性能，我们使用 PTM Tanner 对 TSPC DFF 和改进后的正边缘触发 MTSPC DFF 在 180nm 和 45nm 技术下进行了仿真，性能参数对比表如下：
|性能参数|TSPC DFF (180nm 技术)|MTSPC DFF (180nm 技术)|MTSPC DFF (45nm 技术)|