norflash和nandflash；SRAM和SDRAM

文章目录前言一、ROM、RAM1、ROM（Read Only Memory）2、RAM（Random Access Memory）随机存储器二、SRAM、DRAM、SDRAM1、SRAM（static RAM）2、DRAM（dynamic RAM）3、SDRAM三、FLASH1、NOR FLASH2、NAND FLASH四、Linux 启动方式分析 前言 在 Linux 底层的学习/工作常常会遇到关于各种物理地址之类的，但是其分别隶属于不同的ROM/RAM/变形中，所以搞懂其相关的区别使得针对整个启动流

flash的特性是，写数据只能将1写为0，0不能写为1。擦除数据是将所有数据都写为1。因此如果想在已经数据的flash上写入新的数据，则必须先擦除。

简单介绍ARM设备启动原理和启动过程，帮助了解一些嵌入式相关理论基础知识

CS：chip select, 芯片使能引脚. CS拉高时, 芯片处理省电模式, 各数据引脚(D0/D1/D2/D3)处理高阻态；CS拉低时芯片工作, 数据引脚可以传输数据。DO：(在CLK下降沿)输出数据或状态. 正常情况下只有DI/DO作为IO引脚, 启用 Quad 模式需要置QE(Quad Enable)位. QE=1时, WP和HOLD分别变为IO2,IO3.WP：低电平有效, 保护状态寄存器不被写入。GND：接地DI：(在CLK上升沿)向 Flash 输入指令, 地址 或 数据.CLK。

只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。最小擦除单位：扇区可选择擦除单位：扇区、块、全片。1、常用FLASH擦写规则。

1.S3C2440的启动时读取的第一条指令是在0x00上，分为成nand flash和nor flash上启动 2. nand flash：适合大容量数据存储，类似硬盘；    nor flash：适合小容量的程序或数据存储，类似小硬盘；   sdram：主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算，相当于PC机中的内存。 3.Nor flash的有自己的地

SRAM：静态随机存储器，不需要刷新电路，这使得静态RAM比动态的RAM要快的多，但是，由于他所含的器件较多，集成度较低，不适合做大容量的内存，一般用在处理器的缓存里面，SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保证数据完整性，SRAM的电路结构非常复杂，制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多，正因如此，才使其发展受到了限制，在S3C2440片内，有16KB的instruction cac...

Nandflash启动，norflash启动，SDRAM总结

RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。ROM(Read-Only Memory)只读存储...

这时NANDFlash中的前4K就是启动代码（他的功能就是初始化硬件然后在把NANDFlash中的代码复制到RAM中，再把相应的指针指向该运行的地方）为什么会有这两种启动方式，关键还是两种flash的不同特点造成，NOR FLASH容量小，速度快，稳定性好，输入地址，然后给出读写信号即可从数据口得到数据，适合做程序存储器。在arm开电的时候，要想让arm知道以某种方式（地址映射方式）运行，不可能通过你写的某段程序控制，因为这时候你的程序还没启动，这时候arm会通过引脚的电平来判断。

作者：zhongnanjun_3 转自：http://blog.csdn.net/zhongnanjun_3/article/details/5861975 NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度

韦东山的视频里面说S3C2440有4KB的内存，这个其实是不正确的，这4KB的RAM严格说不应该叫内存，严格来说芯片外面的64MB的SDRAM才能叫做内存，里面的那4KB只是当nandflash启动的时候用来加载bootloader的。 关于SRAM、DRAM、SDRAM SRAM：静态随机存储器，不需要刷新电路，这使得静态RAM比动态的RAM要快的多，但是，由于他所含的器件较多，集成度较低，...

记录自http://www.eepw.com.cn/article/275436.htm ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM 有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，

SDRAM（同步动态随机存取存储器），同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写，简单的说，它就是cpu使用的外部内存，即我们常说的内存条。SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，速度比SDRAM快，一般用作高速缓冲存储器（Cache）。

编写版本：V1.0 一.常用的嵌入式操作系统的存储器有哪些？ 存储器大体分为两大类，一类是掉电后存储信息就会丢失，称为“易失性存储器”，另一类是掉电后存储信息依然保留，称为“非易失性存储器”,分支如下图所示： 二.各个存储器的特性，使用场景和范围？ 2.1 SRAM: - 特性： 1.SRAM利用双稳态触发器来保存信息，只要不掉电，信息是不会丢失的。 2.SRAM读取速度是目前存储器中最快的了。 3.SRAM集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高。 - 使用场景和范围： 一般用小容量SRAM

一直以来没分清楚Flash和ROM以及RAM的额区别，今天闲来无事，转载了一篇文章；http://blog.chinaunix.net/space.php?uid=22342666&do=blog&id=1774747 常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM

标准SPI 标准SPI通常就称SPI，它是一种串行外设接口规范，有4根引脚信号：clk , cs, mosi, miso Dual SPI 它只是针对SPI Flash而言，不是针对所有SPI外设。对于SPI Flash，全双工并不常用，因此扩展了mosi和miso的用法，让它们工作在半双工，用以加倍数据传输。也就是对于Dual SPI Flash，可以发送一个命令字节进入dual mode，这样mosi变成SIO0（serial io 0），mosi变成SIO1（serial io 1）,这样一个时钟周

大家好，我是知微。在智能手机出现之前，大家对RAM和ROM这两个词都没什么概念。如今很多手机在宣传的时候，都会标明有多大的RAM(运行内存)和ROM(存储空间)，因为这在很大程度上影响手机的使用流畅度和使用寿命。其实，RAM和ROM也有很多种，本文将详细介绍不同类型RAM和ROM，以及它们的使用场景。