基于GAA-CNTFET的低功耗TCAM设计

基于双手性GAA‐CNTFET的低功耗高性能SCPF‐TCAM单元设计

摘要

三元内容寻址存储器（TCAM）是一种用于高速数据搜索的关联存储器，广泛应用于多种场景。本文提出了一种基于 全栅碳纳米管场效应晶体管（GAA‐CNTFET）的自控型TCAM单元设计，其匹配线采用无预充电结构。在11纳米技术 节点和0.8伏供电电压下，我们对比了基于GAA‐CNTFET的传统TCAM单元设计与所提出的TCAM单元设计的功耗延 迟积（PDP）和静态噪声容限。仿真使用Virtuoso工具，并结合斯坦福大学的GAA‐CNTFET模型，针对不同参数值进 行。仿真结果表明，对于手性矢量为(20, 16, 0)且具有双通道的情况，与传统设计相比，所提出的设计实现了功耗降低 51.30%、延迟降低17.16%以及功耗延迟积降低59.66%的显著改进。观察发现，在单通道情况下，所提出设计的最佳 手性为(14, 20, 0)；而在双通道情况下，最佳手性则为(16, 16, 0)和(20, 16, 0)，综合考虑了功耗、延迟、稳定性和功耗 延迟积的表现。

Keywords 延迟 · 直径 · 栅极环绕式碳纳米管场效应晶体管 · 低功耗 · 匹配/未匹配 · 自控无预充电 · 三元内容寻址内存

1 引言

根据国际半导体技术路线图（ITRS）的建议，迫切需 要沟道长度小于32纳米的晶体管 [1]。然而，在32纳米 以下，金属氧化物半导体（MOS）技术会面临漏电流 高、迁移率退化和阈值电压不稳定性等问题，同时对 工艺‐电压‐时间（PVT）变化变得敏感 [2, 3]。为了解 决纳米尺度下的这些问题，必须寻求MOS晶体管的替 代方案。诸如英特尔主导的鳍式场效应晶体管（ FinFET）、意法半导体（ST Microelectronics）引 领的全耗尽绝缘体上硅（FD‐SOI）技术、IBM主导的 碳纳米管场效应晶体管（CNTFET），以及共振隧穿 二极管（RTD）和单电子晶体管（SET）等器件已被 提出，用以替代互补（C）MOS晶体管。其中，碳纳 米管场效应晶体管（CNTFET）是极具前景的候选之 一
由于具有弹道输运带来的高迁移率、高机械和热稳定 性、耐电迁移、高跨导、优异的亚阈值斜率、优异的 阈值电压、高电流密度、高ION/IOFF比、高开关可靠性、 耐高温性以及强共价键等特性，适用于32纳米节点以 上的应用[4, 5]。
本文提出了一种适用于碳纳米管场效应晶体管（ CNTFET）本征沟道区的紧凑型电路兼容模型。文中所 述的建模方法和方法论普遍适用于任何一维（1‐D）器 件。该模型适用于手性及直径在0.2至2 nm范围内变化 的多种碳纳米管场效应晶体管，无论其具有半导体或金 属性质。该模型包含了轴向和周向的量子限制效应。为 了使其适用于数字和模拟应用，引入了动态栅极电容网 络以描述实时动态响应。该模型还包含沟道弹性散射、 掺杂源/漏区、肖特基势垒电阻、每个器件多个碳纳米 管以及其他器件/电路。仿真中使用的栅极环绕式碳纳 米管场效应晶体管（GAA CNTFET）模型基于斯坦福 大学开发的SPICE兼容的Verilog‐A模型。特别地，该 模型描述了一种采用碳纳米管的增强型MOSFET器件
作为沟道，它仅支持单向电流流动。每个P型或N型全栅 碳纳米管场效应晶体管器件可包含多个具有用户定义手性 的碳纳米管。这使得短沟道效应能够缩放，以建模32 nm以下的更小技术节点。该全栅碳纳米管场效应晶体管 模型是基于SPICE兼容的Verilog‐A模型在Virtuoso工具 中实例化的，用于探究碳纳米管场效应晶体管对内容寻址 存储器电路性能的影响。

1.1 内容寻址存储器研究综述

帕吉亚米齐斯等人 [6]对电路级和架构级的不同内容寻址 存储器（CAM）设计进行了详细综述，旨在降低匹配线 功耗和搜索延迟。库马尔等人[7]指出，与二进制内容寻 址存储器（BCAM）单元设计相比，三元内容寻址内存 （TCAM）单元设计具有更低的搜索延迟和更小的功耗。
张彦珍等人 [8]研究了采用双侧自门控技术来降低 TCAM设计中的漏电功耗。以下回顾了几项基于碳纳米管 场效应晶体管（CNTFETs）的内容寻址存储器（CAM） 研究，以比较其功耗和搜索延迟：文献[9]中提出的基于 碳纳米管场效应晶体管的静态随机存取存储器（SRAM） 单元设计在双手性（16, 19, 0）条件下表现出最佳性能。
参考文献[10]中设计并分析了一种用于低功耗和高性能应 用的六晶体管（6T）SRAM结构的全栅碳纳米管场效应 晶体管（GAA‐CNTFET）。达斯等人 [11]提出了一种基 于碳纳米管场效应晶体管的四位内容寻址存储器（ CAM）设计，与基于CMOS的CAM相比，该设计功耗更 低且搜索延迟更小。尼泊尔 [12]提出了使用碳纳米管场效 应晶体管实现的三元内容寻址内存（TCAM）和二进制内 容寻址存储器（BCAM）单元设计，与传统CAM设计相
比，实现了更低的平均功耗和更短的延迟。参考文献[13]
解释了碳纳米管场效应晶体管器件的手性矢量与阈值电压 之间的依赖关系。基于这一概念，塞西等人[14]提出了一 种采用双手性选择的TCAM单元设计，并从静态噪声容限 （SNM）、功耗和延迟参数方面报告了其性能。文献中 描述的所有CAM架构均基于预充电阶段后接评估阶段的 结构。参考文献[15]指出，在失配期间预充电阶段存在一 条短路电流（SC）路径，导致高功耗。他们提出了一种 新的无预充电BCAM结构以减少该短路电流。马亨德拉等 人[16]开发了一种自控无预充电BCAM，但功耗略有增加。
本文提出了一种基于GAA‐CNTFET的自控无预充电 （SCPF）TCAM单元设计，并针对不同直径和手性矢量 进行了仿真，以确定功耗延迟积（PDP）和静态噪声容 限（SNM）等性能参数，并与参考文献进行比较。[14]本 文其余部分组织如下：第2节介绍I–V特性及 GAA‐CNTFET结构。第3节详细说明传统和提出的 TCAM单元的工作原理。
第4节讨论仿真结果。第5节得出简要结论。

2 GAA‐CNTFET结构与特性

饭岛于1991年在日本筑波的NEC基础研究实验室发明 了碳纳米管（CNTs）[17]。碳纳米管（CNTs）是中空 圆柱体，直径为一至几十纳米，长度可达厘米级。
CNTs具有sp2杂化结构，与石墨结构相同。实际上， 碳纳米管是由石墨烯卷曲而成的片层。

2.1 环绕栅碳纳米管场效应晶体管

碳纳米管可被视为具有中空圆柱结构的石墨烯片。碳纳米 管（CNT）的特性可以是半导体或金属性，具体取决于其 手性（n, m）。如果 n− m= 3K（K ∈ Z）且 n= m，则 该碳纳米管为金属性；否则为半导体，可用作基于碳纳米 管的晶体管的沟道区域。目前已提出多种类型的碳纳米管 场效应晶体管（CNTFETs）[18]。肖特基势垒碳纳米管场 效应晶体管利用金属源极/漏极与碳纳米管之间的功函数差 异工作，但表现出较低的ION∕IOFF比值[19]。类 MOSFET碳纳米管场效应晶体管采用顶栅结构以及高掺杂 的源极和漏极，但仍面临一些挑战，例如接触区处的势垒 和隧穿效应。对于10纳米尺寸以上的任何晶体管，都需要 更强的栅极控制，这推动了对全栅（GAA）碳纳米管场效 应晶体管的研究[20–22]。全栅碳纳米管场效应晶体管（ GAA‐CNTFET）器件的结构如图1所示。图2a、b分别展 示了全栅碳纳米管场效应晶体管的侧视图和顶视图。在此 器件中，沟道区域采用本征碳纳米管构成，沟道区域被栅 极和栅氧化层所包围。碳纳米管被放置在一层厚层上

通过使用绝缘体来克服体效应，因此可以忽略体端。
碳纳米管中电子和空穴的迁移率相同[23]。
全栅碳纳米管场效应晶体管的栅极宽度（Wgate ）可 由公式1推导得出，其中WLitho为全栅碳纳米管场效应晶 体管的光刻宽度，N 为碳纳米管数量，S 为两根碳纳米 管之间的间距。全栅碳纳米管场效应晶体管的直径和阈 值电压分别由公式2和3给出，其中Vπ= 3.033eV为碳键 能，DCNT为碳纳米管直径，q为电子电荷；将该值代入 公式3可提取碳纳米管场效应晶体管的阈值电压。对于 氧化层厚度减小的碳纳米管场效应晶体管（Cox ），由 于其存在反向对数关系，预期栅极电容会降低，如公式 [24]所示，见公式4。
其中 a ≈ 0.142nm，

表1 不同手性矢量下全栅碳纳米管场效应晶体管的直径

表2 GAA‐CNTFET的器件尺寸

(1) W gate ≈(WLitho , N × S),
(2) D CNT = √ 3a √(n2+ m2+ mn),
(3) V th = aV π √3qDCNT ,
(4) C ox = 2 ox ln(T ox r + 1) .

增加，氧化材料的电容也随之增加。这使得器件在高电 压下导通，同时增加了延迟。因此，该模型的氧化层厚 度（T ox ）选择为 3 纳米，相应地K ox = 24。
本文考虑并仿真了一种N型全栅碳纳米管场效应晶 体管（GAA‐CNTFET）模型。通过电压‐电流曲线可获 得该器件的直流（DC）特性。在保持V ds 恒定为0.8伏 特时，栅源电压V gs 与漏极电流I d 的关系特性如图3所示。
类似地，在保持V gs 恒定为0.8伏特时，漏源电压V ds 与 漏极电流I d 的关系特性如图4所示。通过对N型 GAA‐CNTFET中碳纳米管的手性进行变化，开展参数 分析。手性的变化导致了不同直径和阈值电压的曲线。
阈值电压的变化使得N型全栅碳纳米管场效应晶体管能 够开关

在不同电压下的导通情况。从直流特性曲线可以看出，当 直径从1增加到2 nm时，阈值电压从0.393降低到0.194 mV，同时漏极电流Id增大。P型全栅碳纳米管场效应晶体 管的直流特性类似；当手性矢量增大时，阈值电压减小。
手性(n, 0)，即m = 0 ，对应具有半导体特性的碳纳米管。
对于P型器件，全栅碳纳米管场效应晶体管的手性表示为( np, 0 )，而对于N型全栅碳纳米管场效应晶体管，手性表示 为( nn, 0 )，其中np和nn为用户自定义参数。改变np和nn 可得到具有不同直径和阈值电压的全栅碳纳米管场效应晶 体管。由N型门控环绕碳纳米管场效应晶体管和P型门控环 绕碳纳米管场效应晶体管组成的电路可用三个指数的手性 矢量( np, nn, m )表示，而不是两个。在本文所述的工作中， 我们开发了一种包含N型门控环绕碳纳米管场效应晶体管 和P型门控环绕碳纳米管场效应晶体管的内容寻址存储器， 其手性矢量为( np, nn, 0 )。此处m = 0表示所提出的 CAM是基于具有半导体特性的碳纳米管构建的。通过用户 自定义的手性( np, nn, 0 )变化，使得TCAM单元中的N型 门控环绕碳纳米管场效应晶体管和P型门控环绕碳纳米管 场效应晶体管以不同的阈值电压工作。通过调节直径和阈 值电压，可根据仿真结果的性能选择最佳手性( np, nn, 0 )。

3 使用环栅碳纳米管场效应晶体管（GAA‐CNTFETs）的 CAM单元设计

由于碳纳米管场效应晶体管（CNTFETs）具有优异的阈值 电压和高开关可靠性，因此被考虑用于数字设计。本文提出 了一种基于碳纳米管场效应晶体管的内存内容寻址器（ CAM）设计。内容寻址存储器（CAM）是一种硬件设备， 可在单个时钟周期内并行比较查找数据。这种由CAM实现的 并行比较带来了高速性能，但也导致了高功耗[6]。因此，当 前研究的主要挑战是在不降低性能的前提下设计一种低功耗 的内容寻址存储器。此外，内容寻址存储器可分为二进制内 容寻址存储器(BCAM)和三元内容寻址存储器(TCAM)。本
本文重点研究TCAM设计，该设计存储额外的二进制 逻辑值（无关项“X”）以及逻辑1或0。TCAM用于实 现通配符功能，尤其在网络路由器的数据包转发中应 用广泛。根据作者对文献的综述，目前已有的 CNTFET TCAM架构设计均基于预充电匹配线(ML)。
在本研究中，提出并仿真了一种基于自控无预充电 (SCPF)全栅碳纳米管场效应晶体管(GAA‐CNTFET)的 TCAM单元，考虑了具有不同直径的单通道或双通道 结构。仿真结果表明，与传统三元内容寻址存储器单 元设计相比，所提出的方案具有更低的功耗延迟积。

3.1 使用碳纳米管场效应晶体管（CNTFETs）的传统TCAM单元设计

TCAM单元使用两个静态随机存取存储器单元来写入数据 [14]。第二个静态随机存取存储器单元使得TCAM单元能 够存储逻辑值无关项“X”。TCAM单元由四个比较晶体 管C1, C2, C3,和C4组成，用于比较存储在内存中的查找数 据。晶体管C3的栅极连接到静态随机存取存储器单元的 D1bar端，而晶体管C4的栅极连接到静态随机存取存储器 单元的D2bar端。互补搜索输入SL和SLbar分别连接到晶体 管C1和C2,的栅极，如图5a所示。TCAM的操作始于预充 电阶段，随后进入评估阶段。在预充电阶段，无论搜索输 入或存储数据为何值，ML始终为高电平。在评估阶段， 针对给定的搜索输入字，TCAM内存中的数据被并行搜索。
以下从三种情况说明该三态内容寻址存储器单元设计在失 配/匹配条件下的机器学习输出：
在情况1中，如果D1bar = 1和D2bar = 0 ，则晶体管C3 导通，晶体管C4关断。此时，晶体管C2与SLbar和ML隔离。
在此情况下，如果SL= 0，ML保持其预充电状态；否则， ML接地。在情况2中，如果D1bar = 0和D2bar = 1 ，则晶体 管C3 关断，晶体管C4 导通。此时，晶体管C3 与SL和ML隔 离。在此情况下，如果SL bar = 0 ，ML保持预充电状态； 否则，ML接地。在情况3中，如果D 1bar = 0和D 2bar = 0 ， 则晶体管C 3 和C 4 均关断。此时，晶体管C 3 和C 4 与互补搜 索输入和ML隔离。因此，在此情况下，ML始终保持预充 电值，而与搜索输入无关。传统TCAM单元设计的ML匹配/ 未匹配真值表见表3。三种可能的匹配/未匹配情况的时序 波形如图6a–c所示。

表3 传统TCAM的真值表

3.2 基于碳纳米管场效应晶体管（CNTFETs）的自控无预充电TCAM单元设计

基于预充电的CAM设计由于在失配期间的预充电阶段存在短路电流路径，导致功耗更高[15]。为了解决这一问题，提出了一种新型
与基于预充电的CAM设计相比，已提出无预充电CAM设计以降低功耗延迟积。在这方面，本文提出了一种无需对位线进行预充电的TCAM单元设计，据作者所知，这是首次提出的此类设计。提出的TCAM单元
由两个静态随机存取存储器单元和比较晶体管M7和 M8组成。M7的栅极连接到D，M8的栅极连接到D1bar 。
晶体管M15用作开关，以获得匹配、不匹配和通配匹配的机器学习输出。CAM单元中的晶体管M18有助于获得通配匹配的机器学习输出。M16和M17是两个自控晶体管，根据电荷N控制机器学习输出，如图5b所示。所提出设计的操作首先进行写操作，然后进行搜索操作。在此设计中，如果D2bar= 1 ，晶体管M18处于关断状态，与ML隔离，而晶体管M15导通，将节点N连接至控制电路以充电。此时，如果搜索输入与存储数据匹配，则通过晶体管M16使机器学习输出为高电平；如果发生不匹配，则机器学习输出通过

晶体管 M17 。在 D2bar = 0的情况下，晶体管 M15处于关断 状态，切断了节点N与ML之间的通路，而晶体管 M18处于 导通状态，使ML被短路。因此，无论搜索输入和存储数据 如何，机器学习输出始终为高电平，满足通配符功能X。
表 4给出了TCAM单元设计的ML匹配/失配真值表。图 7展示了所提出设计在匹配/未匹配情况下的时序波形。

表4 提出的三态内容寻址存储器单元设计的真值表

4 仿真结果

用于仿真的GAA‐CNTFET模型基于斯坦福大学开发的 SPICE兼容的Verilog‐A模型。每个P型或N型 GAA‐CNTFET器件可包含多个碳纳米管，并具有用户 定义手性。这使得能够缩放短沟道效应，以在11纳米 技术节点下建模。所提出的无预充电GAA‐CNTFET TCAM单元与传统的基于GAA‐CNTFET的TCAM单元 设计在11纳米技术节点下、0.8伏供电电压时，通过 Virtuoso工具进行了仿真和性能分析[14]。传统和提 出的TCAM设计使用单通道和双通道的不同手性
矢量以及不同直径进行仿真，因为阈值电压随直径变 化而变化。表5、6和7中列出了单通道和双通道下不同 手性的提出设计与传统TCAM设计在性能参数方面的 分析与比较结果。
本文使用GAA‐CNTFET模型比较了内容寻址存储 器电路的各种性能参数，即功耗、搜索延迟、功耗延 迟积和静态噪声容限（SNM）。传统设计与所提出设 计在不匹配后跟匹配情况下的瞬态响应图如图8和9所 示。搜索延迟由瞬态响应图计算得出。不匹配/匹配线 信号输出的50%上升/下降沿与预充电搜索输入信号的 50%上升沿之间的时间差即为搜索延迟值。所提出设 计的功耗通过Virtuoso工具生成的参数存储格式（ PSF）文件计算得出。存储单元的稳定性取决于静态 噪声容限（SNM），其定义为最大

表5 传统GAA‐CNTFET TCAM单元的延迟、功耗、PDP和SNM仿真结果

表6 根据仿真结果，栅极全包围碳纳米管场效应晶体管无预充电三态内容寻址存储器单元（单通道）的延迟、功耗、PDP和SNM

由于施加到存储单元以保持存储位不变的直流电平引起的噪声电压[25]。从图形上看，SNM值通过在蝶形曲线的一个瓣中插入尽可能大的正方形，然后减去对角线值得到。图10显示了具有(20, 16, 0)手性矢量和双通道的传统和提出的GAA‐CNTFET TCAM设计的蝴蝶曲线。从该曲线可得，传统设计和提出设计的 SNM值分别为180.5 mV和154.33 mV。任何数字电路的关键性能指标是功耗延迟积（PDP），通过将功耗和延迟参数相乘得到。PDP越低，性能越好；而 SNM越高，稳定性越好。
碳纳米管场效应晶体管的电学特性取决于其直径和阈值电压。直径起着非常重要的作用
在决定碳纳米管行为方面起着重要作用。随着直径的增加，漏极电流也随之增加，而电容减小，从而导致碳纳米管场效应晶体管的延迟降低。在表1中显示，Vth随直径增大而减小；例如，手性为(14, 0)、(16, 0)和(20, 0)时，对应的阈值电压分别为0.393 mV、0.327 mV和 0.262 mV。已知当Vth减小时，开关速度和功耗都会增加。三元内容寻址内存电路由N型全栅碳纳米管场效应晶体管和P型全栅碳纳米管场效应晶体管组成。因此，给定电路的阈值电压会因所选手性不同而取不同值，即 (14, 14, 0)、(20, 20, 0)、(16, 16, 0)或(20, 16, 0)。仿真结果表明，功耗和延迟值随手性的变化而变化，主要取决于阈值电压的变化。当手性较高时，时间延迟更短，但功耗更大。手性(14, 14, 0)提供较长的延迟但功耗较低，而手性(20, 20, 0)则提供较短的延迟但功耗更高。
在对称结构中，N型全栅碳纳米管场效应晶体管和P型全栅碳纳米管场效应晶体管被赋予相同的阈值电压，而在非对称结构中则采用不同的值。合适的手性（对称或非对称）选择取决于从仿真结果中获得的各项参数（功耗、延迟、功耗延迟积和静态噪声容限）的数值。
从仿真结果可以看出，如果主要关注功耗延迟积（PDP），则手性向量为(16, 16, 0)且具有双通道的结构表现最佳，因为该参数获得了2.601 aJ的低值。从稳定性角度来看，具有单通道的手性(14, 20, 0)为最优，因其获得了201.0122 mV的高值。手性(20, 16, 0)且具有双通道的结构在所有仿真手性中表现最好。

表7 根据仿真结果，栅极环绕碳纳米管场效应晶体管单稳态互补场效应晶体管三元内容寻址内存（双通道）的延迟、功耗、PDP和SNM

由于其在功耗、延迟、功耗延迟积和静态噪声容限方面具有相当好的性能。因此，对具有(20, 16, 0)手性的所提出的和传统的TCAM设计进行了仿真结果比较。
仿真结果显示，对于手性矢量(20, 16, 0)且具有双通道的情况，所提出的设计在功耗上降低了51.30%，延迟降低了17.16%，功耗延迟积降低了59.66%，仅在静态噪声容限方面略有下降。尽管存在这一轻微的下降，所提出的设计在匹配/不匹配状态下仍表现出相同的行为。图11展示了使用单通道和双通道的不同手性矢量下，所提出的环栅碳纳米管场效应晶体管TCAM单元设计的功耗延迟积比较。

5 结论

本文分析了传统和所提出的单通道与双通道、不同直径的GAA‐CNTFET TCAM单元设计的PDP和SNM。
仿真在11纳米技术节点下，使用Virtuoso工具通过设计GAA‐CNTFET器件的TCAM单元，并在0.8伏供电电压下进行。仿真结果表明，对于单通道结构，所提出设计在稳定性方面最佳手性为(14, 20, 0)；而对于双通道结构，在PDP方面最佳手性为(16, 16, 0)。(20, 16, 0)手性在双通道情况下在所有分析的参数中均表现出相当好的性能。仿真结果显示，对于(20, 16, 0)手性且具有双通道的情况，所提出的设计在PDP上显著降低了59.66%，尽管SNM略有下降。然而，所提出的基于GAA‐CNTFET的TCAM单元的仿真结果表明，在匹配和不匹配情况下均具有正确的功能。因此，具有 (20, 16, 0)手性的所提出GAA‐CNTFET TCAM单元可用于扩展TCAM架构以支持更长的字长，适用于低功耗高性能数据搜索应用。