能源与电源管理电路——软启动电路

参考教程：

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一、软启动电路的基本模型

1、软启动电路的背景

（1）在实际使用的电路中，往往会在电源输入端并联很多电容，原因如下：

①电源中通常混杂着各种噪声，为了有效滤除它们，常采用大小电容并联的组合策略。大电容（如电解电容）容量大，对低频噪声阻抗低，能有效吸收和滤除电源中的低频纹波；小电容（如0.1µF瓷片电容）的ESL很小，对高频噪声呈现低阻抗，能高效滤除它们。

②数字电路（如CPU、FPGA）在工作状态切换时，会产生瞬间的大电流需求，并联在电源输入端的电容能在器件需要大电流的瞬间，快速释放储存的电能，同时能有效防止局部电流突变引起的电源电压跌落，避免系统因供电不足而重启或工作异常。

（2）硬启动引起的上电打火现象：

①在《电路分析》中，已经介绍过电容电压不能突变，其电流与电压的计算公式如下

②当电源输入阶跃的电压时，如果上电瞬间阶跃的电压无任何缓冲，直接加在负载两端，那么负载的电容会产生瞬间的大电流，相当于短路，对于理想电路来说，这个电流将达到无穷大，不过实际电路中，各类元件存在寄生参数，实际电流的大小与电路的寄生参数有关，当然，即使寄生参数再大，这个瞬间的大电流对电路元件来说也是不安全的。

③如果电路是通过类似于单刀双掷开关的元件进行导通/关断的控制，在开关闭合的瞬间，触点间空隙极小，在电源电压的作用下，空隙的空气会被电场击穿、电离，形成电弧，巨大的浪涌电流通过电离通道，使得电弧变得明亮，这就是上电打火的原因。

2、软启动电路的工作原理

（1）在低压系统中，往往更加关注上电时的浪涌电流和电压的变化，而不只是上电打火的现象本身，本小节将以下图所示的缓启动电路为例进行软启动电路工作原理的介绍。

（2）如果选通（A/B的连接选择）绕过缓启动电路，合并机械开关时，由于上电瞬间的机械震动，输入电压将出现大幅度抖动，同时由于电容充电的浪涌电流，输入电压除了出现尖峰，还出现跌落，如果后级电路（负载）没有任何保护，尖峰电压可能会击穿元件，跌落电压可能会导致单片机异常复位，浪涌电流可能会损坏电源。

（3）为了抑制电压抖动和异常跌落，以及抑制电容充电电流，可以考虑在电源输入和负载之间串联一个电阻，待上电启动过程结束后，再移除这个电阻，当然，这里说的“移除”一定不是直接更改硬件电路，而是使用半导体功率器件进行实现阻值的调整。

（4）对于不同的栅源电压，MOS管呈现不同的伏安特性，对应曲线的斜率就是漏极和源极之间的电导（电阻的倒数），因此可以认为MOS管是一个可以通过控制栅源电压改变电阻大小的器件。下图是耗尽型PMOS管的伏安特性曲线。

（5）软启动电路的基本模型：

①基于以上对缓启动的需求以及PMOS管伏安特性的分析，可以设计下图的电路，将MOS管的栅极接入RC延时电路，在电路上电时，电容C被充电，使得栅源电压缓慢上升，MOS管电阻逐渐减小。

②在初始状态下（下左图），电容完全短路，栅源电压极低，MOS管的电阻为无穷大；随着电容不断被充电，栅源电压升高，MOS管电阻不断降低，直到完全导通（下右图），电路也完成启动上电。

（6）软启动电路基本模型的优化：

①因为实际MOS管的栅极源极之间的耐压有限，因此需要在电容两端（也就是MOS管的栅极和源极之间）并联一个电阻，与原本的电阻形成分压网络，保证栅源电压低于耐压值。

②在上一步的基础上，可以再在MOS管的栅极和源极之间并联一个双向稳压二极管，进一步削弱电压尖峰。

（7）缓启动电路的延时时间：

        由于电路中只存在一个电容，所以启动延时时间可采用《电路分析》中的三要素法进行分析

        对于初始状态，电容相当于短路，栅源电压的计算如下

        对于稳态，电容相当于断路，栅源电压的计算如下

        缓启动电路的时间常数为

        联立上式，可解得栅源电压的表达式为

        原理图中的MOS管，其开启电压为-1.5V，代入上式，可解得缓启动电路的延时时间

        上式是理论的延时时间，由于MOS管存在寄生电容，实际的延时时间将稍大于理论的延时时间

（8）从延时时间的表达式不难看出，电容容值越大，延时时间越长，通过调整电容容值，可以设定延时时间，避开电压尖峰和电压跌落，从而达到缓启动的效果。以下是不同参数组合的缓启动效果：

①C1=100nF，R2=1K：

②C1=1uF，R2=5K：

③C1=10uF，R2=10K：

（9）缓启动电路的本质是利用了MOS管的开启过程，通过延长MOS管的开启时间，抵消上电时的浪涌冲击，这个过程中MOS管会产生很大的损耗功率，如果过度延长缓启动时间，MOS管可能会过热损坏。

二、几种软启动电路介绍

1、NTC热敏电阻软启动电路

（1）前面提到过，为了抑制电容充电电流，可以考虑在电源输入和负载之间串联一个电阻，待上电启动过程结束后，再移除这个电阻，普通的电阻虽然能够降低启动电流，但启动完成后，持续工作产生的稳态损耗会很大。

（2）基于可变电阻的考虑，可以选择NTC电阻，它是负温度系数的热敏电阻，温度越高，阻值越小。

（3）电路工作状态分析：

①在上电的时候，初始状态下，电容C25相当于短路，浪涌电流被NTC电阻R20限制，此时R20处于冷态，阻值较大。

②待电路进入稳态，电容C25充电完成，NTC电阻因为自身持续发热（焦耳定律），温度上升，阻值大幅降低，压降减小，持续工作产生的损耗也会小很多。

（4）当然，NTC电阻带来的损耗没办法做到极值压缩，如果无法满足稳态损耗的指标，那么也就不能直接采用NTC热敏电阻软启动电路。

2、LM393延时继电器＋NTC热敏电阻复合软启动电路

（1）在实际项目中，往往希望软起电阻的稳态损耗为零，对此可以引入继电器，在电源启动完成以后，控制继电器将NTC电阻短路。这里采用的是LM393延时继电器，TL431的阴极电平作为参考电压，输入LM393的2号引脚，RC延时电路连接到LM393的3号引脚。

（2）电路工作状态分析：

①在上电的时候，TL431工作，LM393的2号引脚电压是2.495V、3号引脚电压是0V，LM393的1号引脚将输出低电平，Q2截止，继电器断开，电源的输入经过NTC电阻直达输出，同时经过电阻R34给电容C29充电。

②当电容C29的电压高于2.495V时，LM393的3号引脚电压也高于2.495V，LM393的1号引脚将输出高电平，Q2导通，继电器吸合，因为继电器的触点电阻远低于NTC的阻值，所以电源的输入主要经过继电器直达输出。

（3）在没有NTC电阻的时候，可以使用其它功率电阻替代，因为这个软启动电路的精髓在于继电器，而不是NTC电阻。不过在设计这个电路时，需要考虑更多的参数计算，还需要辅助电源供电，在继电器状态切换时，仍然会产生一个瞬时电流，在部分工业场景应用中，仍然会存在一些问题。

3、LT4363＋MOS管软启动电路

（1）LT4363是有源高压智能型浪涌抑制控制器，通过搭配外置的N沟道MOS管工作，集成过压钳位、限流保护、故障计时、欠压和过压监测等功能，专门用于解决上电的浪涌电流、瞬时高压尖峰、负载突降等问题，弥补了传统NTC在高压、小电流场景的缺陷。

（2）在上电的时候，芯片（通过4号引脚）缓慢地抬升MOS管栅极电压，MOS管的电阻缓慢下降，导通程度缓慢增加，输出电压和电流平缓爬升，能够有效抑制后端电容的充电浪涌电流。启动斜率可通过设置电容C22的参数进行调整。

三、四类MOSFET与栅源电压的导通关系（补充知识）

四、软启动失败

1、软启动失败的原因

（1）软启动失败，可以通俗地理解为系统在设定的时间内，没能让被控对象（如电机）平稳、成功地启动并进入正常运行状态，这通常会被设备自身的保护机制检测到，并表现为报警、停机或跳闸。

（2）软启动失败的原因，可以从外部和内部两个角度来看：

①外部因素（电源、负载、接线）：

[1]电源问题：输入电源电压过低、缺相或频率不对。例如电网电压波动大，低于设备最低工作电压。

[2]负载问题：电机所带负载过重，这可能是设计时电机选型偏小，也可能是操作问题（如风机启动前风门没关）。

[3]接线问题：线路松动、接触不良或断路，特别是主回路，如果连接不可靠，会导致压降过大或缺相。

[4]参数设置不当：启动参数（如起始电压、启动时间）与负载不匹配，设置不当可能导致电机无法启动或启动过猛。

[5]操作顺序有误：例如没有按规定先通主电源，后通控制电源。

②内部因素（设备自身）：

[1]功率器件损坏：核心元件可控硅（晶闸管） 出现击穿、烧毁或触发不可靠等问题。

[2]控制板故障：控制电路板烧毁，或其上的插接件接触不良。

[3]散热不良：散热风扇损坏或启动过于频繁，导致设备过热保护动作。

2、软启动失败的判断

（1）根据软启动失败的定义，不难得出，判断软启动失败，可以判断被控对象的电压在设定的时间内是否能达到设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则软启动失败。

（2）对不同负载，软启动的表现不一定一致，如果负载过重，那么软启过程可能比较难在设定的时间内达到设定的电压值，但这并不意味着系统存在问题，为了能够适应不同负载的被控对象，可以设计多级软启动失败判断。

①零级软启动失败判断：

        定义一级电压窗口Level0，如下图所示

        软启动开始后，在设定的时间time1内判断是否能达到窗口Level0设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则软启动失败

②一级软启动失败判断：

        定义两级电压窗口Level0、Level1，如下图所示

        软启动开始后，在设定的时间time1内判断是否能达到窗口Level0设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则，如果在设定的时间time1内未能达到窗口Level0设定的电压值，则判断此时是否达到窗口Level1设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则软启动失败

③二级软启动失败判断：

        定义三级电压窗口Level0、Level1、Level2，如下图所示

        软启动开始后，在设定的时间time1内判断是否能达到窗口Level0设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则，如果在设定的时间time1内未能达到窗口Level0设定的电压值，则在设定的时间time2内判断是否能达到窗口Level1设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则，如果在设定的时间time2内未能达到窗口Level1设定的电压值，则判断此时是否达到窗口Level2设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则软启动失败

④三级软启动失败判断：

        定义四级电压窗口Level0、Level1、Level2、Level3，如下图所示

        软启动开始后，在设定的时间time1内判断是否能达到窗口Level0设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则，如果在设定的时间time1内未能达到窗口Level0设定的电压值，则在设定的时间time2内判断是否能达到窗口Level1设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则，如果在设定的时间time2内未能达到窗口Level1设定的电压值，则在设定的时间time3内判断是否能达到窗口Level2设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则，如果在设定的时间time3内未能达到窗口Level2设定的电压值，则判断此时是否达到窗口Level3设定的电压值，如果能达到，则软启动成功，否则软启动失败

⑤多级软启动失败判断：多级软启动失败的判断和三级软启动失败判断类似，只是在三级软启动失败判断的基础上增加了更多级的判断，不过需要注意的是，多级软启动失败判断的电压阈值不能设定过低，否则可能会产生二次浪涌电流。